![]() |
Nama merek: | Krunter |
Nomor Model: | KES650H12A8L-2M |
Kepadatan daya tinggi dengan teknologi Trench FS IGBT
VCE rendah (sat)
Operasi paralel diaktifkan; desain simetris & koefisien suhu positif
Desain induktansi rendah
Sensor suhu NTC terintegrasi
Plat dasar terisolasi menggunakan teknologi DBC
Desain kompak dan kuat dengan terminal cetakan
TYPE | VBR Volts |
VGS (th) Volts |
ID Amper |
RDS (menyala) mΩ |
IDSS UA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot Watt |
Sirkuit | Paket | Teknologi |
KES400H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 Paket | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
KES650H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 3200W | 2 Paket | SIC MOSFET |