Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Modul IGBT
Created with Pixso.

Modul IGBT kompak dan ringan KES650H12A8L-2M untuk instalasi hemat ruang

Modul IGBT kompak dan ringan KES650H12A8L-2M untuk instalasi hemat ruang

Nama merek: Krunter
Nomor Model: KES650H12A8L-2M
Informasi Rinci
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Menyoroti:

Modul IGBT kompak

,

Modul IGBT yang Menghemat Ruang

,

Modul IGBT ringan

Deskripsi Produk

KES650H12A8L-2M

  • Kepadatan daya tinggi dengan teknologi Trench FS IGBT

  • VCE rendah (sat)

  • Operasi paralel diaktifkan; desain simetris & koefisien suhu positif

  • Desain induktansi rendah

  • Sensor suhu NTC terintegrasi

  • Plat dasar terisolasi menggunakan teknologi DBC

  • Desain kompak dan kuat dengan terminal cetakan

Diagram sirkuit internal

Modul IGBT kompak dan ringan KES650H12A8L-2M untuk instalasi hemat ruang 0

Parameter Spesifikasi

TYPE VBR
Volts
VGS (th)
Volts
ID
Amper
RDS (menyala)
IDSS
UA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Watt
Sirkuit Paket Teknologi
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 Paket ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 Paket SIC MOSFET


Modul IGBT kompak dan ringan KES650H12A8L-2M untuk instalasi hemat ruang 1